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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Observation of "ghost" islands and surfactant effect of surface gallium atoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
作者: Zheng LX;  Xie MH;  Seutter SM;  Cheung SH;  Tong SY
发表日期: 2000
摘要: We observe "ghost" islands formed on terraces during homoepitaxial nucleation of GaN. We attribute the ghost islands to intermediate nucleation states, which can be driven into "normal" islands by scanning tunneling microscopy. The formation of ghost islands is related to excess Ga atoms on the surface. The excess Ga also affect island number density: by increasing Ga coverage, the island density first decreases, reaching a minimum at about 1 monolayer (ML) Ga and then increases rapidly for coverages above 1 ML. This nonmonotonic behavior points to a surfactant effect of the Ga atoms.
KOS主题词: Photography--Films;  Finite volume method
刊名: PHYSICAL REVIEW LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zheng LX; Xie MH; Seutter SM; Cheung SH; Tong SY .Observation of "ghost" islands and surfactant effect of surface gallium atoms during GaN growth by molecular beam epitaxy ,PHYSICAL REVIEW LETTERS,2000,85(11):2352-2355
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