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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Self-assembled InAs/GaAs quantum dots and quantum dot laser
作者: Wang ZG;  Liu FQ;  Liang JB;  Xu B
发表日期: 2000
摘要: Systematic study of molecular beam epitaxy-grown self-assembled In(Ga)As/GaAs, In-AlAs/AlGaAs/GaAs, and InAs/InAlAs/InP quantum dots (QDs) is demonstrated. By adjusting growth conditions, surprising alignment, preferential elongation, and pronounced sequential coalescence of dots under the specific condition are realized. Room-temperature (RT) continuous-wave (CW) lasing at the wavelength of 960 nm with output power of 1 W is achieved from vertical coupled InAs/GaAs QDs ensemble. The RT threshold current density is 218 A/cm(2). An RT CW output power of 0.53 W ensures at least 3 000 h lasing (only drops 0.83 db). This is one of the best results ever reported.
KOS主题词: Quantum dot
刊名: SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang ZG; Liu FQ; Liang JB; Xu B .Self-assembled InAs/GaAs quantum dots and quantum dot laser ,SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS,2000,43(8):861-870
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