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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Modeling the dynamics of Si wafer bonding during annealing
作者: Han WH;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2000
摘要: The bonding behavior of silicon wafers depends on activation energy for the formation of siloxane bonds. In this article we developed a quantitative model on the dynamics of silicon wafer bonding during annealing. Based on this model, a significant difference in the bonding behaviors is compared quantitatively between the native oxide bonding interface and the thermal oxide bonding interface. The results indicate that the bonding strength of the native oxide interface increases with temperature much more rapidly than that of the thermal oxide interface. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)05520-1].
KOS主题词: Silicon
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Han WH; Yu JZ; Wang QM .Modeling the dynamics of Si wafer bonding during annealing ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2000,88(7):4404-4406
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