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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Structural and optical characterization of InAs nanostructures grown on (001) and high index InP substrates
作者: Li YF;  Ye XL;  Liu FQ;  Xu B;  Ding D;  Jiang WH;  Sun ZZ;  Liu HY;  Zhang YC;  Wang ZG
发表日期: 2000
摘要: The effects of InP substrate orientations on self-assembled InAs quantum dots (QDs) have been investigated by molecular beam epitaxy (MBE). A comparison between atomic force microscopy (AFM) and photoluminescence (PL) spectra shows that a high density of smaller InAs islands can be obtained by using such high index substrates. On the other hand, by introducing a lattice-matched underlying In0.52Al0.24Ga0.24As layer, the InAs QDs can be much more uniform in size and have a great improvement in PL properties. More importantly, 1.55-mu m luminescence at room temperature (RT) can be realized in InAs QDs deposited on (001) InP substrate with underlying In0.52Al0.24Ga0.24As layer. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition;  atomic layer deposition;  Vapor phase epitaxy;  Quantum dots;  Islands
刊名: APPLIED SURFACE SCIENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li YF; Ye XL; Liu FQ; Xu B; Ding D; Jiang WH; Sun ZZ; Liu HY; Zhang YC; Wang ZG .Structural and optical characterization of InAs nanostructures grown on (001) and high index InP substrates ,APPLIED SURFACE SCIENCE,2000,167(3-4):191-196
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