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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Self-assembled InAs quantum wires on InP(001)
作者: Wu J;  Zeng YP;  Sun ZZ;  Lin F;  Xu B;  Wang ZG
发表日期: 2000
摘要: Self-assembled InAs quantum wires (QWRs) embedded in In0.52Al0.48As, In0.53Ga0.47As, and (In0.52Al0.48As)(n)/(In0.53Ga0.47As)(m)-short-period-lattice matrices on InP(001) were fabricated with molecular beam epitaxy (MBE). These QWR lines are along [110], x 4 direction in the 2 x 4 reconstructed (001) surface as revealed with reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Alignment of quantum wires in different layers in the InAs/spacer multilayer structures depends on the composition of spacer layers. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Gallium arsenide;  Epitaxy;  Islands
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wu J; Zeng YP; Sun ZZ; Lin F; Xu B; Wang ZG .Self-assembled InAs quantum wires on InP(001) ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2000,219(1-2):180-183
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