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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The influence of growth interruption on quantum dot laser
作者: Wang H;  Wang HL;  Wang XD;  Niu ZC;  Feng SL
发表日期: 2000
摘要: Growth interruption was introduced during the growth of GaAs capping layer of self-organized quantum dots. The comparison of two QD lasers with and without growth interruption in their active regions shows that growth interruption leads to lower threshold current, higher characteristic temperature, and weaker temperature dependence of lasing energy.
刊名: JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Wang H; Wang HL; Wang XD; Niu ZC; Feng SL .The influence of growth interruption on quantum dot laser ,JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2000,19(5):347-350
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