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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect
作者: Liao MY;  Zhang JH;  Qin FG;  Liu ZK;  Yang SY;  Wang ZG;  Lee ST
发表日期: 2000
摘要: By mass-selected low energy ion beam deposition, amorphous carbon film was obtained. X-ray diffraction, Raman and Auger electron spectroscopy depth line shape measurements showed that such carbon films contained diamond particles. The main growth mechanism is subsurface implantation. Furthermore, it was indicated in a different way that ion bombardment played a decisive role in bias enhanced nucleation of chemical vapor deposition diamond.
KOS主题词: Ion bombardment;  Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating;  diamond films;  Raman effect;  Development;  Silicon;  mechanism
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liao MY; Zhang JH; Qin FG; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST .Carbon film deposited by mass-selected low energy ion beam technique and ion bombardment effect ,ACTA PHYSICA SINICA,2000,49(11):2186-2190
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