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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Hole levels and exciton states in CdS nanocrystals
作者: Li JB;  Xia JB
发表日期: 2000
摘要: We have studied the hole levels and exciton states in CdS nanocrystals by using the hole effective-mass Hamiltonian for wurtzite structure. It is found that the optically passive P-x state will become the ground hole state for small CdS quantum dots of radius less than 69 Angstrom. It suggests that the "dark exciton" would be more easily observed in the CdS quantum dots than that in CdSe quantum dots. The size dependence of the resonant Stokes shift is predicted for CdS quantum dots. Including the Coulomb interaction, exciton energies as functions of the dot radius are calculated and compared with experimental data.
KOS主题词: Quantum dots;  Electron;  Infrared spectra;  Spectrum analysis;  antiphase boundaries;  Crystals;  Imprisonment;  Transitions;  allocations;  CLUSTERS;  Water-power;  Force and energy;  Strip
刊名: PHYSICAL REVIEW B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li JB; Xia JB .Hole levels and exciton states in CdS nanocrystals ,PHYSICAL REVIEW B,2000,62(19):12613-12616
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