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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Strong temperature dependence of photoluminescence properties in visible InAlAs quantum dots
作者: Liu BL;  Xu ZY;  Liu HY;  Wang ZG
发表日期: 2000
摘要: Strong temperature dependence of optical properties has been studied in visible InAlAs/AlGaAs quantum dots, by employing photoluminescence (PL) and time-resolved photoluminescence (TRPL) measurements. The fast redshift of the exciton emission peak was observed at much lower temperature range compared to that observed in the InAs/GaAs QDs. In TRPL we did not observe the constant decay time even at low temperature. Instead, the observed decay time increases quickly with increasing temperature, showing 2D properties in the transient dynamic process. We attributed our results to the strong lateral coupling effect, which results in the formation of the local minibands or extended states from the discrete energy levels. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Quantum dots;  Photoluminescence;  life time
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu BL; Xu ZY; Liu HY; Wang ZG .Strong temperature dependence of photoluminescence properties in visible InAlAs quantum dots ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2000,220(1-2):51-55
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