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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: High-performance strain-compensated InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers
作者: Liu FQ;  Zhang YZ;  Zhang QS;  Ding D;  Xu B;  Wang ZG;  Jiang DS;  Sun BQ
发表日期: 2000
摘要: We report on the realization of quantum cascade (QC) lasers based on strain-compensated InxGa(1-x)As/In(y)A((1-y))As grown on InP substrates using molecular beam epitaxy. X-ray diffraction and cross section transmission electron microscopy have been used to ascertain the quality of the QC laser materials. Quasi-continuous wave lasing at lambda approximate to 3.54-3.7 mum at room temperature was achieved. For a laser with 1.6 mm cavity length and 20 mum ridge-waveguide width,quasi-continuous wave lasing at 34 degreesC persists for more than 30 min, with a maximum power of 11.4 mW and threshold current density of 1.2 kA cm(-2), both record values for QC lasers of comparable wavelength.
KOS主题词: Chrysanthemum morifolium
刊名: SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu FQ; Zhang YZ; Zhang QS; Ding D; Xu B; Wang ZG; Jiang DS; Sun BQ .High-performance strain-compensated InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers ,SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY,2000,15(12):L44-L46
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