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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy
作者: Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Lin YX;  Kong MY;  Sun DZ;  Li JM;  Lin LY
发表日期: 2000
摘要: As reported by other authors, we have also observed that the Si growth rate decreases with increasing phosphine (PH3) flow rate in gas source-Si molecular beam epitaxy using phosphorous (P) as a n-type dopant. Why small quantity PH3 can affect Si growth rate? Up to now, the quantitative characterization of PH3 flow influence on Si growth rate is little known. In this letter, the PH, influence will be analyzed in detail and a model considering strong P surface segregation and its absorption of hydrogen will be proposed to characterize the effect. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating;  Phosphorus;  Bore;  atomic layer deposition
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Lin LY .Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2000,220(4):461-465
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