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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
作者: Gao F;  Huang DD;  Li JP;  Lin YX;  Kong MY;  Li JM;  Zeng YP;  Lin LY
发表日期: 2000
摘要: Three n-p-n Si/SiGe/Si heterostructures with different layer thickness and doping concentration have been grown by a home-made gas source molecular-beam epitaxy (GSMBE) system using phosphine (PH3) and diborane (B2H6) as n-and p-type in situ doping sources, respectively. Heterojunction bipolar transistors (HBTs) have been fabricated using these structures and a current gain of 40 at 300 K and 62 at 77 K have been obtained. The influence of thickness and doping concentration of the deposited layers on the current gain of the HBTs is discussed. (C) 2000 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition;  doping;  Mass spectrometry;  ion microprobe;  Bipolar transistors;  Current gain;  Metric system;  Silicon
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Gao F; Huang DD; Li JP; Lin YX; Kong MY; Li JM; Zeng YP; Lin LY .The growth of Si/SiGe/Si structures for heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2000,220(4):457-460
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