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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Resonant Raman scattering of a-SiNx : H
作者: Wang Y;  Yue RF;  Han HX;  Liao XB;  Wang YQ;  Diao HW;  Kong GL
发表日期: 2001
摘要: Micro-Raman measurements were carried out to investigate the microstructure of amorphous silicon-nitrogen alloy (a-SiNx:H) samples with different N contents prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). Resonant Raman effect was discovered by using 647.1- and 514.5-nm excitation wavelengths. The frequency of TO mode downshifts with increasing photon energy without varying its width, while LO mode expands to a great extent. The frequency-dependent shift of TO band is explained by heterogeneous structure model and quantum confinement model, and the width expansion of LO mode may be related to the overlapping of LA and LO bands. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: amorphous silicon;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  alpha-particle spectra;  Optical spectrometers;  Spectrum analysis;  Alloys
刊名: MATERIALS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang Y; Yue RF; Han HX; Liao XB; Wang YQ; Diao HW; Kong GL .Resonant Raman scattering of a-SiNx : H ,MATERIALS LETTERS,2001 ,47(1-2):50-54
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