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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates
作者: Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Zhang M;  Wang YS;  Bai XW;  Zhao J
发表日期: 2001
摘要: Semi-insulating gallium arsenide single crystal grown in space has been used in fabricating low noise field effect transistors and analog switch integrated circuits by the direct ion-implantation technique. All key electrical properties of these transistors and integrated circuits have surpassed those made from conventional earth-grown gallium arsenide. This result shows that device-grade space-grown semiconducting single crystal has surpassed the best terrestrial counterparts. (C) 2001 American Institute of Physics.
KOS主题词: Weightlessness;  Reduced gravity environments;  Reduced gravity environments;  Stoichiometry;  Segregation;  Separation;  Silicon;  Germanium
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen NF; Zhong XR; Lin LY; Zhang M; Wang YS; Bai XW; Zhao J .Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2001 ,78(4):478-479
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