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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Impurity-free vacancy diffusion technique for InGaAsP/InP multiple quantum well laser structure
作者: Han DJ;  Niu JS;  Zhu HL;  Zhu HQ;  Zhuang WR
发表日期: 2001
摘要: Bandgap tuning of the InGaAsP/InP multiple quant um well (MQW) laser structure by the impurity-free vacancy diffusion (IFVD) is investigated using photoluminescence. It has been demonstrated that the effects of the plasma bombardment to the:sample surface involved in the IFVD technique can enhance the intermixing of the InGaAsP/InP MQW laser structure. The reliability of the IFVD technique, particularly the effects of the surface decomposition and the intrinsic defects formed in the growth or preparation of the wafer, has been discussed.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Han DJ; Niu JS; Zhu HL; Zhu HQ; Zhuang WR .Impurity-free vacancy diffusion technique for InGaAsP/InP multiple quantum well laser structure ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2001 ,18(1):100-102
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