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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Heterostructure intervalley transferred electron effects
作者: Xue FS
发表日期: 2001
摘要: A Gunn active layer is used as an X electron probe to detect the X tunnelling current in the GaAs-AlAs heterostructure, from which a new heterostructure intervalley transferred electron (HITE) device is obtained. In the 8 mm band, the highest pulse output power of these diodes is 2.65 W and the highest conversion efficiency is 18%. The dc and rf performance of the HITE devices was simulated by the band mixing resonant tunnelling theory and Monte Carlo transport simulation. The HITE effect has transformed the transit-time dipole-layer mode in the Gunn diode into a relaxation oscillation mode in the HITE device. From the comparison of simulated results to the measured data, the HITE effect is demonstrated straightforwardly.
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xue FS .Heterostructure intervalley transferred electron effects ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2001 ,18(2):263-265
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