高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Variational calculations of ionized-donor-bound excitons in GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells
作者: Liu JJ;  Zhang SF;  Li YX;  Kong XJ
发表日期: 2001
摘要: Using a two-parameter wave function, we calculate variationally the binding energy of an exciton bound to an ionized donor impurity (D+,X) in GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells for the values of the well width from 10 to 300 Angstrom, when the dopant is located in the center of the well and at the edge of the well. The theoretical results confirm that the previous experimental speculation proposed by Reynolds tit al. [Phys. Rev. B 40, 6210 (1989)] is the binding energy of D+,X for the dopant at the edge of the well. in addition, we also calculate the center-of-mass wave function of the exciton and the average interparticle distances. The results are discussed in detail.
KOS主题词: Binding energy;  biexcitons;  Photoluminescence
刊名: EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1218.pdf152KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Liu JJ; Zhang SF; Li YX; Kong XJ .Variational calculations of ionized-donor-bound excitons in GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells ,EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B,2001 ,19(1):17-20
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Liu JJ]的文章
 [Zhang SF]的文章
 [Li YX]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Liu JJ]的文章
 [Zhang SF]的文章
 [Li YX]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发