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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: X-ray evidence for Ge/Si(001) island columns in multilayer structure
作者: Huang CJ;  Tang Y;  Li DZ;  Cheng BW;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2001
摘要: A Ge/Si(0 0 1) multilayer structure is investigated by cross-sectional transmission electron microscopy, atomic force microscopy and double crystal X-lay diffraction. We find that the multilayer-structure-related satellite peaks in the rocking curve exhibit a similar nonuniform broadening and rye fit the zero-order peak with two Lorentz lineshapes. The ratio of the integrated intensity of two peaks is approximately equal with the anal ratio of the top Ge layer deposited between the areas that are and are not occupied by islands. It proves the existence of vertical-aligned island columns from the viewpoint of macroscopic dimension. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: X-ray crystallography;  Vapor phase epitaxy;  Nanostructured materials;  Development;  Germanium;  metallic superlattices;  Organization;  Layers
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Huang CJ; Tang Y; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM .X-ray evidence for Ge/Si(001) island columns in multilayer structure ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2001 ,223(1-2):99-103
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