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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering
作者: Liu FZ;  Zhu MF;  Liu T;  Li BC
发表日期: 2001
摘要: Eu ions doped SiO2 thin films, SiO2( Eu), were prepared by co-sputtering of SiO2 and Eu2O3 and Eu ion implantation into thermally grown SiO2 films. The Eu-L-3-edge X-ray absorption near edge structure (XANES) spectra of SiO2(Eu) films show a doublet absorption peak structure with energy difference of 7 eV, which indicates the conversion of Eu3+ to Eu2+ at high annealing temperature in N-2. The strong blue luminescence of SiO2(Eu) films prepared by ions implantation after films annealed above 1100 degreesC confirms the above argument.
KOS主题词: X-ray absorption near edge structure;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  alpha-particle spectra;  Optical spectrometers;  Spectrum analysis;  Silicon;  Valence;  Glass
刊名: ACTA PHYSICA SINICA
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Liu FZ; Zhu MF; Liu T; Li BC .The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering ,ACTA PHYSICA SINICA,2001 ,50(3):532-535
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