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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Growth and photoluminescence of epitaxial CeO2 film on Si (111) substrate
作者: Gao F;  Li GH;  Zhang JH;  Qin FG;  Yao ZY;  Liu ZK;  Wang ZG;  Lin LY
发表日期: 2001
摘要: A CeO2 film with a thickness of about 80nm was deposited by a mass-analysed low-energy dual ion beam deposition technique on an Si(111) substrate. Reflection high-energy electron diffraction and x-ray diffraction measurements showed that the film is a single crystal. The tetravalent state of Ce in the film was confirmed by x-ray photoelectron spectroscopy measurements, indicating that stoichiometric CeO2 was formed. Violet/blue light emission (379.5 nm) was observed at room temperature, which may be tentatively explained by charge transitions from the 4f band to the valence band of CeO2.
KOS主题词: Optical properties;  Thin films;  sedimentation;  emission;  Layers
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Gao F; Li GH; Zhang JH; Qin FG; Yao ZY; Liu ZK; Wang ZG; Lin LY .Growth and photoluminescence of epitaxial CeO2 film on Si (111) substrate ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2001 ,18(3):443-444
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