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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer
作者: Zhang YC;  Huang CJ;  Xu B;  Ye XL;  Ding D;  Wang JZ;  Li YF;  Liu F;  Wang ZG
发表日期: 2001
摘要: We have fabricated a new self-assembled quantum dot system where InGaAs dots are formed on InAlAs wetting layer and embedded in GaAs matrix. The low-temperature photoluminescence and atomic force microscopy measurements confirm the realization of the structure. In contrast to traditional InAs/Ga(Al)As quantum dots, the temperature dependence of the photoluminescence of the dots in such a structure exhibits an electronically decoupled feature due to a higher energy level of the wetting layer which keeps the dots more isolated from each other. (C) 2001 Published by Elsevier Science B.V.
KOS主题词: Nanostructured materials;  atomic layer deposition;  Electron-phonon interactions;  temperature dependence;  Semiconductor nanocrystals;  Quantum dots;  Gallium arsenide;  Lasers;  Islands;  Development;  gain
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang YC; Huang CJ; Xu B; Ye XL; Ding D; Wang JZ; Li YF; Liu F; Wang ZG .Optical properties of InGaAs quantum dots formed on InAlAs wetting layer ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2001 ,224(1-2):41-46
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