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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate
作者: Han PD;  Wang ZG;  Duan XF;  Zhang Z
发表日期: 2001
摘要: GaN films were grown in pairs on two opposite c faces of Al2O3 substrate by low-pressure metal-organic vapor phase epitaxy, and studied by scanning electron microscopy and converged beam electron diffraction. It is found that GaN film on the c-Al2O3 whose c face is forward to its crystal seed has [0001] polarity, and the other film on the C-Al2O3 whose c face is backward to its crystal seed has [000 (1) over bar] polarity. (C) 2001 American Institute of Physics.
KOS主题词: atomic layer deposition;  SINGLE CRYSTALS;  sedimentation;  Anatomy;  Quality
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Han PD; Wang ZG; Duan XF; Zhang Z .Polarity dependence of hexagonal GaN films on two opposite c faces of Al2O3 substrate ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2001 ,78(25):3974-3976
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