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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC
作者: Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY
发表日期: 2001
摘要: Homoepitaxial growth of SiC on a Si-face (0 0 0 1) GH-SIC substrate has been performed in a modified gas-source molecular beam epitaxy system with Si2H6 and C2H4 at temperatures ranging 1000 1450 degreesC while keeping a constant SiC ratio (0.7) in the gas phase. X-ray diffraction patterns, Raman scattering measurements. and low-temperature photoluminescence spectra showed single-crystalline SiC. Mesa-type SiC p-n junctions were obtained on these epitaxial layers, and their I-V characteristics are presented. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: X-ray crystallography;  atomic layer deposition;  Photography--Films;  Finite volume method
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li JM; Sun GS; Zhu SR; Wang L; Luo MC; Zhang FF; Lin LY .Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2001 ,227(0 ):816-819
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