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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures
作者: Sun BQ;  Jiang DS;  Pan Z;  Li LH;  Wu RH
发表日期: 2001
摘要: We have investigated transitions above and below band edge of GaNAs/GaAs and InGaNAs/GaAs single quantum wells (QWs) by photoluminescence (PL) as well as by absorption spectra via photovoltaic effects. The interband PL peak is observed to be dominant under high excitation intensity and at low temperature. The broad luminescence band below band edge due to the nitrogen-related potential fluctuations can be effectively suppressed by increasing indium incorporation into InGaNAs. In contrast to InGaNAs/GaAs QWs, the measured interband transition energy of GaNAs/GaAs QWs can be well fitted to the theoretical calculations if a type-II band lineup is assumed. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: atomic layer deposition;  Quantum wells;  Luminescence
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun BQ; Jiang DS; Pan Z; Li LH; Wu RH .Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2001 ,227(0 ):501-505
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