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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: In-plane optical anisotropy in asymmetric Si1-xGex/Si/Si1-yGey superlattices
作者: Yu R;  Zhu BF;  Wang QM
发表日期: 2001
摘要: A trilayer asymmetric superlattice, Si/Si1-xGex/Si1-yGey, is proposed, in which the broken inversion symmetry makes the microstructure optically biaxial; in particular, inequivalent interfaces in this heterostructure may cause a polarization ratio as large as about 2.5% in the absence of an external field. The electronic structure and absorption spectra for two types of trilayer superlattice with different parameters are calculated by use of the tight-binding model; the findings indicate the importance of the carrier confinement for the anisotropy value. The effect of external electric field on the optical anisotropy for such structures has also been discussed, and a Pockels coefficient of 10-9 cm V-1 estimated.
KOS主题词: Quantum wells;  Electronic structure;  Heterostructures;  INTERFACES;  Field
刊名: JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Yu R; Zhu BF; Wang QM .In-plane optical anisotropy in asymmetric Si1-xGex/Si/Si1-yGey superlattices ,JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER,2001 ,13(24):L559-L567
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