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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: MnSi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique
作者: Yang JL;  Chen NF;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL;  Liao MY;  He HJ
发表日期: 2001
摘要: Semiconducting manganese silicide, Mn27Si47 and Mn15Si26, were obtained using mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique, Auger electron spectroscopy depth profiles showed that some of the Mn ions were deposited on single-crystal silicon substrate and formed a 37.5 nm thick Mn film, and the other Mn ions were successfully implanted into the Si substrate with the implantation depth of 618 nm. Some samples were annealed in the atmosphere of flowing N-2 at 840 degreesC. X-ray diffraction measurements showed that the annealing was beneficial to the formation of Mn27Si47 and Mn15Si26 (C) 2001 Published by Elsevier Science B.V.
KOS主题词: X-ray crystallography;  Thin films
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ .MnSi similar to 1.73 grown on silicon with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2001 ,226(4):517-520
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