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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Changing the size and shape of Ge island by chemical etching
作者: Gao F;  Huang CJ;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY
发表日期: 2001
摘要: Self-assembled Ge islands were grown on Si (1 0 0) substrate by Si2H6-Ge molecular beam epitaxy. Subjected to a chemical etching, it is found that the size and shape (i.e. ratio of height to base width) of Ge islands change with etching time. In addition, the photoluminescence from the etched Ge islands shifted to the higher energy side compared to that of the as-deposited Ge islands. Our results demonstrated that chemical etching can be a way to change the size and shape of the as-deposited islands as well as their luminescence property. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Atomic force microscopy;  Aggressiveness;  Nanostructured materials;  atomic layer deposition;  Quantum dots;  Development;  strain
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Sun DZ; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY .Changing the size and shape of Ge island by chemical etching ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2001 ,231(1-2):17-21
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