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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation
作者: Luo XD;  Xu ZY;  Ge WK;  Pan Z;  Li LH;  Lin YW
发表日期: 2001
摘要: Under short pulse laser excitation, we have observed an extra high-energy photoluminescence (PL) emission from GaNAs/GaAs single quantum wells (QWs). It dominates the PL spectra under high excitation and/or at high temperature. By measuring the PL dependence on both temperature and excitation power and by analyzing the time-resolved PL results, we have attributed the PL peak to the recombination of delocalized excitons in QWs. Furthermore, a competition process between localized and delocalized excitons is observed in the temperature-dependent PL spectra under the short pulse excitation. This competition is believed to be responsible for the temperature-induced S-shaped PL shift often observed in the disordered alloy semiconductor system under continuous-wave excitation. (C) 2001 American Institute of Physics.
KOS主题词: atomic layer deposition;  mechanism;  emission;  Nitrogen;  Alloys;  Shift
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Luo XD; Xu ZY; Ge WK; Pan Z; Li LH; Lin YW .Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2001 ,79(7):958-960
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