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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Thermal redistribution of localized excitons and its effect on the luminescence band in InGaN ternary alloys
作者: Li Q;  Xu SJ;  Cheng WC;  Xie MH;  Tong SY;  Che CM;  Yang H
发表日期: 2001
摘要: Temperature-dependent photoluminescence measurements have been carried out in zinc-blende InGaN epilayers grown on GaAs substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy. An anomalous temperature dependence of the peak position of the luminescence band was observed. Considering thermal activation and the transfer of excitons localized at different potential minima, we employed a model to explain the observed behavior. A good agreement between the theory and the experiment is achieved. At high temperatures, the model can be approximated to the band-tail-state emission model proposed by Eliseev et al. [Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997)]. (C) 2001 American Institute of Physics.
KOS主题词: Quantum dots;  Temperature;  Photoluminescence;  ACTIVATION;  Diodes
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Li Q; Xu SJ; Cheng WC; Xie MH; Tong SY; Che CM; Yang H .Thermal redistribution of localized excitons and its effect on the luminescence band in InGaN ternary alloys ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2001 ,79(12):1810-1812
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