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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Tunnel-regenerated multiple-active-region light-emitting diodes with high efficiency
作者: Guo X;  Shen GD;  Wang GH;  Zhu WJ;  Du JY;  Gao G;  Zou DS;  Chen YH;  Ma XY;  Chen LH
发表日期: 2001
摘要: Tunnel-regenerated multiple-active-region (TRMAR) light-emitting diodes (LEDs) with high quantum efficiency and high brightness have been proposed and fabricated. We have proved experimentally that the efficiency of the electrical luminescence and the on-axis luminous intensity of such TRMAR LEDs scaled linearly approximately with the number of the active regions. The on-axis luminous intensity of such TRMAR LEDs with only 3 mum GaP current spreading layer have exceeded 5 cd at 20 mA dc operation under 15 degrees package. The high-quantum-efficiency and high-brightness LEDs under the low injection level were realized. (C) 2001 American Institute of Physics.
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Guo X; Shen GD; Wang GH; Zhu WJ; Du JY; Gao G; Zou DS; Chen YH; Ma XY; Chen LH .Tunnel-regenerated multiple-active-region light-emitting diodes with high efficiency ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2001 ,79(18):2985-2986
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