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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching
作者: Gao F;  Huang CJ;  Huang DD;  Li JP;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY
发表日期: 2001
摘要: Self-assembled Ge islands were grown on Si(100) substrate by Si2H6-Ge molecular beam epitaxy. After being subjected to chemical etching, it is found that the photoluminescence from the etched Ge islands became more intense and shifted to the higher-energy side compared to that of the as-deposited Ge islands. This behaviour was explained by the effect of chemical etching on the morphology of the Ge islands. Our results demonstrate that chemical etching can be a way to change the luminescence property of the as-deposited islands.
KOS主题词: CHEMICAL ETCHING;  Photoluminescence;  Quantum dots
刊名: CHINESE PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY .Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching ,CHINESE PHYSICS,2001 ,10(10):966-969
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