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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Surface acoustic wave velocity and electromechanical coupling coefficient of GaN grown on (0001) sapphire by metal-organic vapour phase epitaxy
作者: Chen Z;  Lu DC;  Wang XH;  Liu XL;  Han PD;  Yuan HR;  Wang D;  Wang ZG;  He ST;  Li HL;  Yan L;  Chen XY
发表日期: 2001
摘要: High-quality and high-resistivity GaN films were grown on (0001) sapphire face by metal-organic vapour phase epitaxy. To measure the surface acoustic wave properties accurately, we deposited metallized interdigital transducers on the GaN surface. The acoustic surface wave velocity and electromechanical coupling coefficient were measured, respectively, to be 5667 m/s and 1.9% by the pulse method.
KOS主题词: Thin films;  sedimentation;  Diodes
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Chen Z; Lu DC; Wang XH; Liu XL; Han PD; Yuan HR; Wang D; Wang ZG; He ST; Li HL; Yan L; Chen XY .Surface acoustic wave velocity and electromechanical coupling coefficient of GaN grown on (0001) sapphire by metal-organic vapour phase epitaxy ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2001 ,18(10):1418-1419
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