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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Structure and photoluminescence of InGaAs quantum dots formed on an InAlAs wetting layer
作者: Zhang YC;  Huang CJ;  Ye XL;  Xu B;  Ding D;  Wang JZ;  Li YF;  Liu FQ;  Wang ZG
发表日期: 2001
摘要: We have developed a new self-assembled quantum dot system where InGaAs dots are formed on an InAlAs wetting layer and embedded in the GaAs matrix. The structure is realized by special sample designation and demonstrated by low-temperature photoluminescence measurements. In contrast to the traditional InAs/GaAs quantum dots dominated by the ensemble effect, the temperature dependence of the photoluminescence of such a quantum dot structure behaves as decoupled quantum dots. This can be attributed to the enhanced potential confinement for the dots provided by a higher-energy barrier in the wetting layer.
KOS主题词: temperature dependence;  Lasers;  gain
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhang YC; Huang CJ; Ye XL; Xu B; Ding D; Wang JZ; Li YF; Liu FQ; Wang ZG .Structure and photoluminescence of InGaAs quantum dots formed on an InAlAs wetting layer ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2001 ,18(10):1411-1414
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