高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
作者: Xu SJ;  Or CT;  Li Q;  Zheng LX;  Xie MH;  Tong SY;  Yang H
发表日期: 2001
摘要: Defect states in cubic GaN epilayers grown on GaAs were investigated with the photoluminescence technique. One shallow donor and two acceptors were identified to be involved in relevant optical transitions. The binding energies of the free excitons, the bound excitons. the donor and the acceptors were determined. These values are in good agreement with recent theoretical results.
KOS主题词: Photoluminescence
刊名: PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1765.pdf89KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Xu SJ; Or CT; Li Q; Zheng LX; Xie MH; Tong SY; Yang H .Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy ,PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH,2001,188 (2):681-685
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Xu SJ]的文章
 [Or CT]的文章
 [Li Q]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Xu SJ]的文章
 [Or CT]的文章
 [Li Q]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发