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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots
作者: Jia R;  Jiang DS;  Liu HY;  Wei YQ;  Xu B;  Wang ZG
发表日期: 2002
摘要: We have fabricated self-organized InAs/GaAs quantum dots (QDs) capped by 1 nm In0.2Al0.8As and 5 nm In0.2Ga0.8As strain-reducing layer (SRL). The luminescence emission at a long wavelength of 1.33 mum with narrower half width is realized. A wider energy separation between the ground and first excited radiative transitions of up to 102meV was observed at room temperature. Furthermore, the comparative study proves that luminescence properties of InAs/GaAs QDs overgrown with combined InAlAs and InGaAs SRLs are much better than that of one capped with InGaAs or InAlAs SRL. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Nanostructured materials;  atomic layer deposition;  Semiconductor lasers;  continuous-wave operation;  temperature dependence;  Photoluminescence;  gain
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Jia R; Jiang DS; Liu HY; Wei YQ; Xu B; Wang ZG .Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2002,234 (2-3):354-358
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