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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: The PL "violet shift" of cerium dioxide on silicon
作者: Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Liao MY;  Chen NF;  Wang ZG
发表日期: 2001
摘要: CeO2 thin film was fabricated by dual ion beam epitaxial technique. The phenomenon of PL violet shift at room temperature was observed, and the distance of shift was about 65 nm. After the analysis of crystal structure and valence in the compound were carried out by XRD and XPS technique, it was concluded that the PL shift was related with valence of cerium ion in the oxides. When the valence of cerium ion varied front tetravalence to trivalence, the PL peak position would move from blue region to violet region and the phenomenon of "violet shift" was observed.
KOS主题词: Thin films;  sedimentation;  interface;  Oxides;  Development
刊名: CHINESE SCIENCE BULLETIN
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Liao MY; Chen NF; Wang ZG .The PL "violet shift" of cerium dioxide on silicon ,CHINESE SCIENCE BULLETIN,2001,46 (24):2046-2048
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