高级检索   注册
SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Binding energy of positively and negatively charged excitons in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells
作者: Liu JJ;  Zhang SF;  Yang GC;  Li SS
发表日期: 2002
摘要: Using a simple two-parameter wavefunction, we calculate variationally the binding energy of positively and negatively charged excitons in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells for well widths from 10 to 300Angstrom. We consider the effect of effective mass, dielectric constant mismatch in the two materials, and the whole correlation among the particles. The results are discussed and compared in detail with previous experimental and theoretical results, which show fair agreement with them.
KOS主题词: biexcitons;  DONORS
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

条目包含的文件

文件 大小格式
1757.pdf246KbAdobe PDF 联系获取全文


许可声明:条目相关作品遵循知识共享协议(Creative Commons)。


推荐引用方式:
Liu JJ; Zhang SF; Yang GC; Li SS .Binding energy of positively and negatively charged excitons in GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2002,19 (1):114-116
个性服务
 推荐该条目
 保存到收藏夹
 查看访问统计
 Endnote导出
Google Scholar
 Google Scholar中相似的文章
 [Liu JJ]的文章
 [Zhang SF]的文章
 [Yang GC]的文章
CSDL跨库检索
 CSDL跨库检索中相似的文章
 [Liu JJ]的文章
 [Zhang SF]的文章
 [Yang GC]的文章
Scirus search
 Scirus中相似的文章
Social Bookmarking
  Add to CiteULike  Add to Connotea  Add to Del.icio.us  Add to Digg  Add to Reddit 
所有评论 (0)
暂无评论

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。

 

 

Valid XHTML 1.0! 版权所有 © 2007-2012  中国科学院半导体研究所  -反馈
系统开发与技术支持:中国科学院国家科学图书馆兰州分馆(信息系统部)
本系统基于 MIT 和 Hewlett-Packard 的 DSpace 软件开发