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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Photoluminescence of Te isoelectronic traps in ZnSeTe/ZnSe quantum wells under hydrostatic pressure
作者: Fang ZL;  Li GH;  Han HX;  Ding K;  Chen Y;  Peng CL;  Yuan SX
发表日期: 2002
摘要: The photoluminescence (PL) of ZnSe0.92TeD0.08/ZnSe superlattice quantum wells at 77K under hydrostatic pressure up to 7.8 GPa was studied. Strong PL peaks from excitons trapped in isoelectronic traps in ZnSe0.92Te0.08 were observed. It was found that the pressure coefficients of the PL, peaks from Te traps are about half of that of ZnSe. It demonstrates the localized characteristic of the potential of Te isoelectronic. traps. The excitons transition between Te traps in ZnSe1 Te-- x(x) and (CdSe)(1) /(ZnSe)(3) superlattice was also investigated.
KOS主题词: Pressure;  Photoluminescence;  atomic layer deposition;  Alloys;  emission;  Centers;  Behavior
刊名: JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Fang ZL; Li GH; Han HX; Ding K; Chen Y; Peng CL; Yuan SX .Photoluminescence of Te isoelectronic traps in ZnSeTe/ZnSe quantum wells under hydrostatic pressure ,JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2002,21 (1):28-32
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