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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry
作者: Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZG
发表日期: 2002
摘要: The influence of the Indium segregation on the interface asymmetry in InGaAs/GaAs quantum wells have been studied by reflectance-difference spectroscopy (RDS). It is found that the anisotropy of the 2H1E (2HH --> 1E) transition is very sensitive to the degree of the interface asymmetry. Calculations taking into account indium segregation yield good agreement with the observed anisotropy structures. It demonstrates that the anisotropy intensity ratio of the 1L1E (1LH --> 1E) and 2H1E transitions measured by RDS can be used to characterize the interface asymmetry. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Segregation;  interface
刊名: MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Ye XL; Chen YH; Xu B; Wang ZG .Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry ,MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY,2002,91(0):62-65
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