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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Creation and suppression of point defects through a kick-out substitution process of Fe in InP
作者: Zhao YW;  Dong HW;  Chen YH;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Fung S
发表日期: 2002
摘要: Indium antisite defect In-P-related photoluminescence has been observed in Fe-diffused semi-insulating (SI) InP. Compared to annealed undoped or Fe-predoped SI InP, there are fewer defects in SI InP obtained by long-duration, high-temperature Fe diffusion. The suppression of the formation of point defects in Fe-diffused SI InP can be explained in terms of the complete occupation by Fe at indium vacancy. The In-P defect is enhanced by the indium interstitial that is caused by the kick out of In and the substitution at the indium site of Fe in the diffusion process. Through these Fe-diffusion results, the nature of the defects in annealed undoped SI InP is better understood. (C) 2002 American Institute of Physics.
KOS主题词: Complexes;  Phosphides;  mechanism;  Crystals
刊名: APPLIED PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Zhao YW; Dong HW; Chen YH; Zhang YH; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY; Fung S .Creation and suppression of point defects through a kick-out substitution process of Fe in InP ,APPLIED PHYSICS LETTERS,2002,80 (16):2878-2879
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