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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing
作者: Wang YQ;  Liao XB;  Diao HW;  Zhang SB;  Xu YY;  Chen CY;  Chen WD;  Kong GL
发表日期: 2002
摘要: A novel pulsed rapid thermal processing (PRTP) method has been used for realizing solid-phese crystallization of amorphous silicon films prepared by plasma-enhanced chemical vapour deposit ion. The microstructure and surface morphology of the crystallized films were investigated using x-ray diffraction and atomic Force microscopy. The results indicate that PRTP is a suitable post-crystallization technique for fabricating large-area polycrystalline silicon films with good structural quality, such as large grain size, small lattice microstrain and smooth surface morphology on low-cost glass substrates.
KOS主题词: Rapid thermal processing;  Microstructure;  Chemical vapor deposition;  atomic layer deposition;  Vapor-plating;  amorphous silicon;  Pressure;  Transistors;  Crystallization;  Development
刊名: CHINESE PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Wang YQ; Liao XB; Diao HW; Zhang SB; Xu YY; Chen CY; Chen WD; Kong GL .Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing ,CHINESE PHYSICS,2002,11 (5):492-495
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