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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient
作者: Zhao YW;  Dong HW;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY
发表日期: 2002
摘要: Photoluminescence (PL) and photo induced current transient spectroscopy (PICTS) have been used to study deep levels in semi-insulating (SI) InP prepared by annealing undoped InP in pure phosphorus (PP) and iron phosphide (IP) ambient. Defects are much fewer in IP SI-InP than in PP SI-InP. Deep-level-related PL emission could only be detected in IP SI-InP. The results indicate that Fe diffusion inhibits the thermal formation of a number of defects in annealed InP. A complex defect has been formed in the annealing process in the presence of Fe.
KOS主题词: Indium phosphide;  Rapid thermal processing;  Heat treatment;  defect;  Diffusion;  Photoluminescence;  Indium phosphide;  Photoluminescence;  Crystals;  Pressure
刊名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhao YW; Dong HW; Jiao JH; Zhao JQ; Lin LY .Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient ,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS,2002,41 (4A):1929-1931
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