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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: SiGe/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors for 1.3 mu m operation fabricated using wafer bonding techniques
作者: Li C;  Huang CJ;  Cheng BW;  Zuo YH;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM
发表日期: 2002
摘要: A SiGe/Si multiple-quantum-well resonant-cavity-enhanced (RCE) photodetector for 1.3 mum operation was fabricated using bonding reflector process. A full width at half maximum (FWHM) of 6 nm and a quantum efficiency of 4.2% at 1314 nm were obtained. Compared to our previously reported SiGe RCE photodetectors fabricated on separation-by-implanted-oxygen wafer, the mirrors in the device can be more easily fabricated and the device can be further optimized. The FWHM is expected to be less than 1 nm and the detector is fit for density wavelength division multiplexing applications. (C) 2002 American Institute of Physics.
刊名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Li C; Huang CJ; Cheng BW; Zuo YH; Luo LP; Yu JZ; Wang QM .SiGe/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors for 1.3 mu m operation fabricated using wafer bonding techniques ,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2002,92 (3):1718-1720
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