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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Modulation spectroscopy of GaAs covered by InAs quantum dots
作者: Jin P;  Meng XQ;  Zhang ZY;  Li CM;  Qu SC;  Xu B;  Liu FQ;  Wang ZG;  Li YG;  Zhang CZ;  Pan SH
发表日期: 2002
摘要: Contactless: electroreflectance has been employed at room temperature to study the Fermi level pinning at undoped-n(+) GaAs surfaces covered by 1.6 and 1.8 monolayer (ML) InAs quantum dots (QDs). It is shown that the 1.8 ML InAs QD moves the Fermi level at GaAs surface to the valence band maximum by about 70 meV compared to bare GaAs, whereas 1.6 ML InAs on GaAs does not modify the Fermi level, It is confirmed that the modification of the 1.8 ML InAs deposition on the Fermi level at GaAs surface is due to the QDs, which are surrounded by some oxidized InAs facets, rather than the wetting layer.
KOS主题词: Microscopy;  Acoustic microscopes;  Surfaces;  Islands;  Layer
刊名: CHINESE PHYSICS LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Jin P; Meng XQ; Zhang ZY; Li CM; Qu SC; Xu B; Liu FQ; Wang ZG; Li YG; Zhang CZ; Pan SH .Modulation spectroscopy of GaAs covered by InAs quantum dots ,CHINESE PHYSICS LETTERS,2002,19 (7):1010-1012
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