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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Angular dependent characteristics of a 1.3-mu m GaInNAs/GaAs quantum-well resonant cavity enhanced photodetect
作者: Zhang RK;  Zhong Y;  Zhang W;  Xu YQ;  Du Y;  Huang YQ;  Ren XM;  Niu ZC;  Wu RH
发表日期: 2002
摘要: Characteristics of a 1.3-mum GaInNAs RCE PD with respect to the incident light angle were analyzed both in theoretical simulation and experiments. The results show the influence can be neglected when the light incidence angle is less than 3degrees. This is a requirement for the PD to be applied in WDM networks. (C) 2002 Wiley Periodicals, Inc.
刊名: MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang RK; Zhong Y; Zhang W; Xu YQ; Du Y; Huang YQ; Ren XM; Niu ZC; Wu RH .Angular dependent characteristics of a 1.3-mu m GaInNAs/GaAs quantum-well resonant cavity enhanced photodetect ,MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS,2002,34 (5):333-336
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