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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Study on pollution for the photoelectronic material InP
作者: Xu JC;  Ding XP;  Chen DQ
发表日期: 2002
摘要: The mass spectrum analysis of crystal face (100) and (111) and the photoluminescence analysis of crystal face (100) in the photoelectronic material InP were given. The Hall coefficient, charge carrier concentration and Hall mobility were determined. Experimental results indicate that the pollution of silicon is predominant.
KOS主题词: Mass spectrometry;  Photoluminescence;  Electron mobility
刊名: SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Xu JC; Ding XP; Chen DQ .Study on pollution for the photoelectronic material InP ,SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS,2002 ,22 (4):550-551
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