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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Dephasing rate in an InAs/GaAs single-electron quantum dot qubit
作者: Pan LX;  Li SS;  Liu JL;  Niu ZC;  Feng SL;  Zheng HZ
发表日期: 2002
摘要: We have obtained the parameter-phase diagram, which unambiguously defines the parameter region for the use of InAs/GaAs quantum dot as two-level quantum system in quantum computation in the framework of the effective-mass envelope function theory. Moreover, static electric field is found to efficiently prolong decoherence time. As a result, decoherence time may reach the order of magnitude of milli-seconds as external static electric field goes beyond 20 kV/cm if only vacuum fluctuation is taken as the main source for decoherence. Our calculated results are useful for guiding the solid-state implementation of quantum computing.
KOS主题词: Quantum dot;  Biocomputers;  Computation;  Logic
刊名: SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS PHYSICS ASTRONOMY
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Pan LX; Li SS; Liu JL; Niu ZC; Feng SL; Zheng HZ .Dephasing rate in an InAs/GaAs single-electron quantum dot qubit ,SCIENCE IN CHINA SERIES A-MATHEMATICS PHYSICS ASTRONOMY,2002,45 (5):666-670
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