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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots
作者: Zhang YC;  Wang ZG;  Xu B;  Liu FQ;  Chen YH;  Dowd P
发表日期: 2002
摘要: Post-growth rapid thermal annealing has been performed with In(Ga)As quantum dots (QDs) at different strain statuses. It is confirmed that the strain-enhanced interdiffusion decreases the inhomogeneous size distribution. The preferential lateral interdiffusion of QDs during annealing was observed. we attribute it to the naturally anisotropic strain distribution in/around the dots and the saturation of strain difference between the base boundary and the top of the dots. There exist strain-enhanced mechanism and vacancy diffusion enhanced mechanism during the annealing. As to which one dominates the QD interdiffusion depends on the thickness of capping layer and the annealing temperature. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: strain;  atomic layer deposition;  Quantum dots;  Electronic structure;  Photoluminescence;  Diffusion;  Kirkendall effect;  Transitions;  Infrared spectra;  Spectrum analysis
刊名: JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Zhang YC; Wang ZG; Xu B; Liu FQ; Chen YH; Dowd P .Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots ,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2002 ,244 (2):136-141
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