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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Excitonic photoluminescence properties of nanocrystalline GaSb and Ga0.62In0.38Sb embedded in silica films
作者: Liu FM;  Wang TM;  Zhang LD;  Li GH;  Han HX
发表日期: 2002
摘要: The GaSb and Ga0.62In0.38Sb nanocrystals were embedded in the SiO2 films by radio-frequency magnetron co-sputtering and were grown on GaSb and Si substrates at different temperatures. We present results on the 10K excitonic photoluminescence (PL) properties of nanocrystalline GaSb and Ga0.62In0.38Sb as a function of their size. The measurements show that the PL of the GaSb and Ga0.62In0.38Sb nanocrystallites follows the quantum confinement model very closely. By using deconvolution of PL spectra, origins of structures in PL were identified. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
KOS主题词: Nanocrystals;  Photoluminescence;  Liquid phase epitaxy;  GALLIUM ANTIMONIDE;  Film serials;  Quantum dots;  Raman;  Electron paramagnetic resonance spectroscopy;  alpha-particle spectra;  Optical spectrometers;  Spectrum analysis;  sedimentation;  Infrared spectra;  Spectrum analysis;  Matrix
刊名: JOURNAL OF LUMINESCENCE
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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推荐引用方式:
Liu FM; Wang TM; Zhang LD; Li GH; Han HX .Excitonic photoluminescence properties of nanocrystalline GaSb and Ga0.62In0.38Sb embedded in silica films ,JOURNAL OF LUMINESCENCE,2002,99 (3):273-281
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