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SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)  > 期刊论文

题名: Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts
作者: Sun YP;  Shen XM;  Wang J;  Zhao DG;  Feng G;  Fu Y;  Zhang SM;  Zhang ZH;  Feng ZH;  Bai YX;  Yang H
发表日期: 2002
摘要: The Schottky behaviour of Ni/Au contact on n-GaN was investigated under various annealing conditions by current-voltage (I-V) measurements. A non-linear fitting method was used to extract the contact parameters from the I-V characteristic curves. Experimental results indicate that high quality Schottky contact with a barrier height and ideality factor of 0.86 +/- 0.02 eV and 1.19 +/- 0.02 eV, respectively, can be obtained under 5 min annealing at 600degreesC in N-2 ambience.
KOS主题词: Stability;  Barrier;  Diodes
刊名: JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
专题: 中国科学院半导体研究所(2009年前)_期刊论文

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Sun YP; Shen XM; Wang J; Zhao DG; Feng G; Fu Y; Zhang SM; Zhang ZH; Feng ZH; Bai YX; Yang H .Thermal annealing behaviour of Ni/Au on n-GaN Schottky contacts ,JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS,2002,35 (20):2648-2651
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